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调试时升降压芯片温度过高原因以及解决方法

时间:2021-10-09 预览:778

调试时升降压芯片温度过高原因以及解决方法(图1)

随着电子技术的创新,电源行业的市场前景越来越广阔,升降压芯片行业也跟着不断发展。调试电源时,需要用电压表测量升降压芯片引脚的电压,还得通过示波器观察电压波形,来判断电源运行状态是否处于最佳。那调试时出现升降压芯片温度过高的问题,我们应该怎么解决呢?又是什么原因导致芯片温度过高呢?

1、有可能是内部MOSFET损耗过大,再加上变压器电容过大,直接导致增大MOSFET电流与Vds交叉面积,最终导致升降压芯片温度过高。这时需要将变压器绕组距离增大,减小电容。

2、芯片散热不良导致温度过高。芯片大部分热量是通过引脚传输到线路板的铜箔上,需要加大铜箔面积加强散热。

3、升降压芯片周围空气温度过高引起的,应该将芯片安置在空气流通的位置,尽量远离温度高的元器件。