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DMN6040SK3与BSS123升降压芯片性能介绍

时间:2022-07-05 预览:863

DMN6040SK3与BSS123升降压芯片性能介绍

当行业达到一定成熟度的时候,半导体公司很少会通过扩大经济规模来实现高利润率。以无线行业为例,最近10年,多数手机基带芯片市场领导者关闭了他们的业务,而不是以并购的方式将它们推向市场。TI、Broadcom、ST和Marvell等公司,都曾经是基带芯片市场的领导者,无一例外地没有找到接盘它们基带芯片业务的下家。即使是那些能够为其每况愈下的无线芯片业务找到接盘下家的公司,也没有通过并购成为行业领导者。另一方面,虽然基带芯片的利润下降明显,但高通、海思这几家公司还未表现出裁撤该业务的意愿,这些公司还需要进一步观察。

一、DMN6040SK3升降压芯片性能介绍

• 60V N沟道增强型MOSFET

• V(BR)DSS 60v

• RDS(on) max 40mΩ @ VGS = 10V ID 20A 50mΩ @ VGS = 4.5V ID 16A

二、BSS123升降压芯片性能介绍

• N沟道增强型MOSFET

• BVDSS 100V

• RDS(ON)6.0Ω @ VGS = 10V 

• ID TA = +25°C  0.17A