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BZT52C3V9LP与MP2130升降压芯片性能介绍

时间:2022-07-05 预览:909

BZT52C3V9LP与MP2130升降压芯片性能介绍

如果半导体行业真的发展到了收入增长缓慢的阶段,该怎么办?尽管存在着成本和摩尔定律的挑战,出于经营考虑,还是要降低研发支出,那么具体是多少呢?让我们回顾一下30多年以来的半导体产业,研发支出占营收的比例一直稳定在13%~14%,近期的并购狂潮是否会促使这样一个长期稳定的发展态势突然发生变化呢?虽然这听起来有些夸张,但并非没有可能。

一、BZT52C3V9LP升降压芯片性能介绍

• 贴片齐纳二极管

• VF  0.9V

• VZ@IZT 39

• ZZT@IZT   130Ω  -ZZK@IZK  350Ω

• IR  0.1  @ VR  27.3

二、MP2130升降压芯片性能介绍

• 6V,3.5A, 1.2MHz ,恒定导通时间(COT)控制模式同步降压变换器

• 峰值效率高于 95%

• 使能(EN)和电源正常(PG)指示用于实现供电时序

• 轻载效率高于80%

• 逐周期过流保护

• 输入工作电压范围:2.7V 至 6V

• 断电自动放电功能

• 可调输出电压范围:0.6V至3.3V

• 带打嗝保护模式的短路保护

• 输出电流:3.5A

• 过温关断保护

• 集成 50mΩ 和 40mΩ内部功率 MOSFET

• 采用低 ESR 输出陶瓷电容器可稳定工作

• 1.2MHz开关频率

• 采用 2mmx2mm QFN12封装