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BSP75NTA与BZT52C16升降压芯片性能介绍

时间:2022-07-05 预览:563

BSP75NTA与BZT52C16升降压芯片性能介绍

最近几年出现的并购狂潮是半导体产业的新现象,这一行业已经保持了几十年的快速创新发展期,从历史发展情况来看,该行业没有出现过较大规模的并购。

进一步回顾历史,我们会发现,半导体产业一个很重要的发展趋势就是离散化。1966年,德州仪器(TI)、Fairchild和Motorola这三家公司,占半导体行业收入的70%左右。到1972年,该合并的市场份额已经下降到53%。当今最大的半导体公司——Intel,有大约15%的市场占有率,但这只比1972年排名第一的德州仪器多2%。

一、BSP75NTA升降压芯片性能介绍

• 60V自保低压智能MOSFET开关

• 连续漏源极电压:VDS=60V

• 状态阻力:500米Ω

• 最大额定负载电流(VIN=5V):1.1A

• 最小额定负载电流(VIN=5V):0.7A

• 夹紧能量:550m

二、BZT52C16升降压芯片性能介绍

• 贴片齐纳二极管

• VZ @ IZT 16V

• ZZT@IZT   40

• Ir 0.1

• VR 11.2