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MP1907与NB650升降压芯片功能说明

时间:2022-07-15 预览:619

MP1907与NB650升降压芯片功能说明

半导体是一个靠技术取胜的产业,有创新和核心技术才有领导能力。因此,缩小中资半导体企业的技术缺口至关重要。半导体作为清洁、高端制造业,对中国产业结构转型来说是一个非常利好的行业,也能促进中国行业创新,比如智能手机和平板电脑的创新。但建立一个成功的半导体企业需要多长时间?据悉,三星公司有3500个工程师专门从事在存储器的设计和制造流程,这些人作为一个团队一起工作了20年。

一、MP1907升降压芯片功能说明

• 100V、2.5A 高频半桥栅极驱动

• 驱动 N-通道 MOSFET 半桥

• 100V VBST 电压范围

• 输入信号重叠保护

• 集成自举二极管

• 20ns 的典型延迟

• 小于 5ns 的栅极驱动失配

• 12V VDD 时驱动 1nF 负载具有 15ns 的上升时间和 9ns 的下降时间

• TTL 可兼容输入

• 静态电流小于 150μA

• 关断电流小于 5μA

• 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护

• 采用 3×3mm QFN10 封装

二、NB650升降压芯片功能说明

• 6A, 28V,高效同步降压变换器,具有快速瞬态响应、2位 VID输入以及OCP锁存模式

• 宽工作输入电压范围:4.5V 至 28V

• 输出电流:6A

• 内部50mΩ上管、18mΩ下管功率MOSFET

• 专有开关损耗降低技术

• 参考电压:1%

• 可调软启动时间

• 2位VID输入