一、FZT651TA升降压芯片的特性

特征

* BVCEO>60V

* IC=3A高持续电流

* ICM=6A峰值脉冲电流

* 低饱和电压VCE（sat）<300mV@1A

* 补充PNP类型：FZT751

* 无铅饰面；符合RoHS（注1和2）

* 无卤素和锑。“绿色”装置（注3）

* 符合AEC-Q101高可靠性标准

机械数据

* 案例：SOT223

* 外壳材料：模压塑料。“绿色”模压化合物；UL易燃性等级94V-0

* 湿度敏感度：根据J-STD-020，为1级

* 端子：表面处理-哑光镀锡引线；可根据MIL-STD-202，方法208

* 重量：0.112克（近似值）

二、MP1612升降压芯片的特性

• 2A 同步降压变换器

• 低静态电流：21μA

• 开关频率为 1.2MHz

• 80mΩ 和 40mΩ 内部功率 MOSFET 开关管

• FB 精度为 1%

• 宽工作输入电压范围：2.5V 至 5.5V

• 输出电压可调节低至 0.6V

• SOT583 封装