存储产业正在发生剧烈的变化，这个剧烈的变化一大推动力来自于存储介质的变化。大存储是上下游。今天看到2D闪存是主流，未来3D将流行。闪存是目前为止存储的答案而已，将来可能有更新的介质。虽然我们现在做3D的方案，但是我们更加关注将来的可能，因为我们不愿意被淘汰，一直在怀着谦卑的心来看这件事情。

一、NB650AGL-Z升降压芯片的特性

6A, 28V，高效同步降压变换器，具有快速瞬态响应、2位 VID输入以及OCP锁存模式。

二、MP2651升降压芯片的特性

• I2C 控制、USB PD 6A 升降压充电器 IC，具有 OTG/源模式，适用于 1 至 4 节串联电池应用

• 用于 1 至 4 节串联电池组的升降压充电器 IC

• 4V 至 22V 工作输入电压 (VIN) 范围

• 高达 26V 的可耐受电压，或在使用外部 MOSFET时高达 28V的可耐受电压

• 高达 6A 的输出电流 (IOUT)，步进值为 50mA

• 500kHz 至 1.2MHz 可配置开关频率 (fSW)