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BZX84C6V2Q与MP2615AGQ-Z升降压芯片的特性

时间:2022-07-27 预览:536

BZX84C6V2Q与MP2615AGQ-Z升降压芯片的特性

一直认为中国半导体业的现状,由于受非市场化及囯有资金的两大影响,它的发展处于两难之中,至少近期难有很大的突破。如中芯国际它的进步己不小,但与台积电相比就黯然失色。

假如两岸半导体能够联手,绝对是个双赢的好棋。因为岛内缺乏发展资金与应用市场以及政策封闭,但是市场活跃,拥有先进的管理理念及优秀人材。而大陆拥有资金,然而缺乏技术及受非市场化的因素影响甚多。另外两岸的语言及文字通用是其它无法比拟的。因此如果能够同舟共济,互相取长补短,两岸联手发展半导体业,去争夺全球的市场,不但有利于两岸半导体业的发展,同时也有利于全球半导体业的迅速进步。

一、BZX84C6V2Q升降压芯片的特性

• 350mW表面安装齐纳二极管

• VF 0.9V

• pd   300-350 Mw

• VZ@IZT 6.2

• Izt 5.0mA

• IR  3.0uA   @ VR  4V

二、MP2615AGQ-Z升降压芯片的特性

MP2615A 是一款高效率开关模式电池充电器,适用于单节或双节锂离子或锂聚合物电池应用。MP2615A 可以在整个输入电压范围内,通过准确的采样电阻,提供 2A 可编程充电电流。