受智能手机、智能卡和堆叠封装等消费类应用驱动，近年来对薄晶圆的需求日益增长。据估算，2015年，用于MEMS器件、CMOS图像传感器、应用硅通孔(TSV)技术的存储器和逻辑器件以及功率器件的薄晶圆数量超过了1650万片，这个数量相当于8英寸晶圆投入总片数(wafer starts per year， WSPY)。这些薄晶圆主要贡献于CMOS图片传感器，其次是功率器件。2015年到2020年期间，薄晶圆的复合年增长率预计为14%，预计到2020年，薄晶圆的数量将达到峰值的3200万片，相当于2020年8英寸晶圆投入总片数。

更薄的晶圆能够带来众多好处，包括超薄的封装，以及由此带来更小的尺寸外形，还包括改善的电气性能和更好的散热性能。

一、AZ431AZ-ATRE1升降压芯片的特性

• 可调精密并联调节器

• VKA  40V 

• IKA  -100 to 150 Ma

• IREF  10 mA

• PD  Z, R Package: 770   N Package: 370mW

二、MP2161GJ-Z升降压芯片的特性

2A, 6V, 1.5MHz, 17uA静态电流，恒定导通时间控制模式（COT）高效率同步降压变换器，带PG并采用 TSOT23-8 封装。