某些应用，如存储器和功率器件，它们的微型化朝着更小的尺寸、更高的性能以及更低的成本方向发展，这些应用的薄晶圆厚度小于100μm或甚至小于50μm。

现阶段，最常规的半导体应用减薄工艺为磨削，所减薄晶圆的平均起始厚度为750μm到120μm。然而，厚度低于100 μm的硅晶圆会变得非常柔软有弹性，受迫于大批量加工制造的压力，仅仅凭借标准的磨削方法将厚度小于100 μm的硅晶圆进一步减薄，是非常具有挑战性的。

一、MBR2150VRTR升降压芯片的特性

• 高压功率肖特基整流器

• VRRM (V) 150

• IO (A)  2

• VF (MAX) (V) @ +25°C  0.85

• IR (MAX) (mA) @ +25°C 0.1

二、MP2145GD-Z升降压芯片的特性

MP2145 是一款集成内部功率 MOSFETs 的单片降压开关变换器。在 2.8V 至 5.5V 的输入电压范围内，可以实现 6A 的连续输出电流，且具有极好的负载和线性调整率。其输出电压可调节低至 0.6V。