存储器和逻辑器件等领域需要额外的减薄步骤，如运用化学机械抛光(CMP)来消除由标准化磨削加工所引起的晶圆微开裂和边缘崩裂。背照式CMOS图像传感器是唯一使用湿法/干法蚀刻处理和化学机械抛光(CMP)的应用，因为背照式CMOS图像传感器需要最多步骤的背面磨削工艺来确保最好的芯片质量。

一、ZXTN25012EFHTA升降压芯片的特性

• 12V，SOT23，NPN中功率晶体管

• BVCEO > 12V   BVECX > 6V   hFE > 500 

• IC(cont) = 6A    VCE(sat) < 32mV @ 1A   

• RCE(sat) = 23m   PD = 1.25W

二、MP2144GJ-Z升降压芯片的特性

MP2144 是一款集成内部功率 MOSFET的单片降压开关变换器。在 2.5V 至 5.5V 的输入电压范围内，可以实现 2A 的连续输出电流，具有出色的负载和线性调整率。其输出电压可调节低至 0.6V。