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时间:2021-12-23 预览:670
DIODES升降压芯片内置同步整流控制器和高雪崩容量功率MOSFET,用于高性能AC/DC反激变换器系统,取代二次整流肖特基二极管,导压降非常低,功率MOSFET可以提高电流输出容量,降低温升,提高转换效率,使系统效率达到6级能效标准,并留有足够的余量。
DIODES升降压芯片通过QR-PWM、QR-PFM、burst-mode混合调制技术和专用器件低功耗结构技术,实现了超低待机功耗和全电压范围内的最佳效率。调频技术和软驱动技术充分确保良好的电磁干扰性能。
升降压芯片内置12mQ60V电压同步整流器,适用于3.6V-20V通用适配器输出,适用于QC3.0适配器等固定电压输出适配器。该芯片还集成了非常全面的辅助功能,包括欠压保护、防误启动、最小导通时间等功能,而且外围元件非常简单。
九鼎龙的PD 20W快速充电方案采用了典型的宽输出范围开关电源架构,升降压芯片通过光藕反馈控制输出电压。外围元件数量非常少,整体集成度非常高,有效实现了充电器的小型化。