锂电池不仅具有过充、过放、过流、短路等保护功能，而且其升降压芯片还具有其它新功能。接下来小编为大家详细讲解锂电池对DIODES升降压芯片的性能要求。

当锂离子电池处于过充电状态时，必须关闭充电状态，以防止因温度升高而导致内压升高。升降压芯片检测电池电压，当检测到过充电时，过充电检测功率MOSFET关断，充电停止。这时要注意过充检测电压的高精度，在给电池充电时，将电池充电到充满状态是用户非常关心的问题，同时需要考虑安全问题。因此，必须达到允许电压。充电完成时。要想同时满足这两个条件，就必须要有高精度的探测器，目前探测器的精度为25mV，精度正在进一步提高。

随着使用时间的增加，充电后的锂离子电池电压会逐渐下降，最终低于标准值，此时需要进行充电。在不充电的情况下继续使用可能会使电池因过度放电而无法使用。为防止过放，升降压芯片必须检测电池电压，一旦过放检测电压低于过放检测电压，必须关闭放电侧的功率MOSFET以停止电池放电。但此时电池本身仍有自然放电，升降压芯片的功耗依然存在，因此需要尽量减少芯片的功耗。