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2022-07
一、FZT651TA升降压芯片的特性特征* BVCEO>60V* IC=3A高持续电流* ICM=6A峰值脉冲电流* 低饱和电压VCE（sat）<300mV@1A* 补充PNP类型：FZT751* 无铅饰面；符合RoHS（注1和2）* 无
2022-07
一、SBRT3U40P1-7升降压芯片的特性项目详情* 封装在紧凑的热效率PowerDI®123中* SBRT3U40P1提供极低的VF和极好的反向泄漏* 高温稳定性。非常适合用作整流器MR16桥式整流器应用中的二极管。应用* 桥式二极管* 阻塞二极
2022-07
一、DMTH4005SK3Q-13升降压芯片的特性项目详情BVDSS RDS（ON）最大ID TC=+25摄氏度40V 4.5mΩ @ VGS=10V 95A说明和应用这种MOSFET的设计符合严格的要求，它符合AEC-Q101的要求，由PPAP，非
2022-07
一、PI3USB302-AZBEX升降压芯片的特性二极管的PI3USB302-A是一种2差分通道双向多路复用器/解复用器开关。由于其较低的位对位偏移，高通道间噪声隔离度和带宽，该产品非常适合5.0 Gbps的USB 3.0信号交换。二、MP173升降
2022-07
一、BC847AT-7-F升降压芯片的特性* 表面贴装封装* 重量：0.002克（近似值）* 根据JEDEC，最高焊接温度+260C持续30秒J-STD-020* 外壳材料-模制塑料，UL易燃性等级94V-0* 端子：表面处理-哑光镀锡引线，可焊接二
2022-07
一、DMT8012LPS-13升降压芯片的特性BVDSS RDS(ON) ID TC = +25C 80V17mΩ @ VGS = 10V 65A21mΩ @ VGS = 4.5V 59A描述和应用该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻(RDS
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