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新闻资讯

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2022-07

ZXMS6004FFQTA与BZT52C43Q-7-F升降压芯片的特性

一、ZXMS6004FFQTA升降压芯片的特性产品概要* 连续漏源电压:60V* 导通电阻:500mΩ* 标称负载电流 (VIN = 5V):1.3A* 夹持能量:90mJ描述ZXMS6004FFQ 是一种自我保护的低侧 IntelliFET™具有逻

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2022-07

FMMT491QTA与DMTH6016LPSQ-13升降压芯片的特性

一、FMMT491QTA升降压芯片的特性特征* BVCEO > 60V* IC = 1A 连续集电极电流* ICM = 2A 峰值脉冲电流* RCE(sat) = 195mΩ(低等效导通电阻)* 500mW 功耗* hFE 表征高达 2A 以保

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2022-07

PI6CB332000ZDIEX与DMTH6016LFVWQ-7升降压芯片的特性

一、PI6CB332000ZDIEX升降压芯片的特性PI6CB332000是一个20输出极低功耗PCIe时钟缓冲器它能够为UPI分配参考时钟,SAS、SATA和其他应用程序。它需要一个参考扇出20 100MHz低功率差分HCSL输出的输入带片上终端。

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2022-07

PI6C49S1510BZDIEX与PDS5100Q升降压芯片的特性

一、PI6C49S1510BZDIEX升降压芯片的特性PI6C49S1510B是一种高性能扇出缓冲装置,它支持高达1.5GHz的频率。它还集成了具有用户可配置输出信号标准的独特功能基于每家银行,这为用户提供了极大的灵活性。该设备还使用二极管专有的输入

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2022-07

PI3WVR646GEEX与AP7366-W5-7升降压芯片的特性

一、PI3WVR646GEEX升降压芯片的特性二极管的PI3WVR646是一个4数据通道D-PHY或3−数据通道C−PHY MIPI开关。此10通道单刀双掷(SPDT)开关经过优化,可在高速(HS)或低功率(LP)MIPI信号之间切换。PI3WVR6

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2022-07

PDS360Q-13与BZX84C10Q-7-F升降压芯片的特性

一、PDS360Q-13升降压芯片的特性产品概要VR(V) IF (A) VF MAX (V) @ +25C 红外最大值 (mA) @ +25C 60 3.0 0.62 0.15描述该肖特基势垒整流器旨在满足汽车应用的严格要求。应用它非常适合用作:极