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• 100V、2.5A 高频半桥栅极驱动
• 驱动 N-通道 MOSFET 半桥
• 100V VBST 电压范围
• 输入信号重叠保护
• 集成自举二极管
• 20ns 的典型延迟
• 小于 5ns 的栅极驱动失配
• 12V VDD 时驱动 1nF 负载具有 15ns 的上升时间和 9ns 的下降时间
• TTL 可兼容输入
• 静态电流小于 150μA
• 关断电流小于 5μA
• 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护
• 采用 3×3mm QFN10 封装
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