自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技术上每年都会前进一步，由24层、32层、48层，到今年的第四代64层。有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND。除技术进步之外，有分析师预测在2018年中期，全球NAND闪存市场在3D堆叠技术的影响下，价格有可能低到每Gb约3美分。目前，中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。

一、MP2625升降压芯片完整信息介绍

• 带 NVDC 电源路径管理的 2A 开关型锂离子充电器

• 4V 至 10V 输入工作电压范围

• 5 个控制环路

• 1.6MHz 开关频率

• 可编程输入电流限

• 可编程充电电流

• 用于 USB 和 AC 适配器的单端输入

• 兼容 USB2.0 和 USB3.0 输入规格

二、MP6924升降压芯片完整信息介绍

• 双路 LLC 同步整流器，具有低休眠模式电流和快速关断功能，可兼容 CCM/DCM 模式

• 可驱动12V标准MOSFETS和5V逻辑电平MOSFETS

• 符合能效之星 0.5W 待机要求

• 快速关断总延迟为 35ns

• 4.2V 至 35V VDD 宽输入工作电压范围

• 轻载模式下静态电流大约为 175µA

• 支持 CCM、CrCM 和 DCM 工作模式

• 支持副边高端和低端整流

• 在典型笔记本适配器中使用能节电高达1.5W

• 采用 SOIC-8 封装