2D NAND在进入1xnm节点之后，器件耐久性和数据保持特性持续退化，单元之间的耦合效应难以克服，很难解决集成度提高和成本控制的矛盾，进一步发展面临瓶颈。发展3D NAND已经是大势所趋。近期全球3D NAND的发展迎来少见的红火，之前认为仅三星独家领先的态势，可能需要重新思考，至少各方之间的差距正逐步缩小。因为谁都不愿在未来落后。

一、MP2617升降压芯片完整信息介绍

• 3A 宽输入电压开关充电器，

• 具有 NVDC 电源路径管理功能，

• 适用于 4.2V 单节锂离子电池应用

• 4V 至 10V 工作输入电压范围

• 5 个控制环路

• 用于 USB 和 AC 适配器的单端输入

• 兼容 USB2.0 和 USB3.0 输入规范

二、B2100升降压芯片完整信息介绍

• AEC Qualified  Yes

• Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard

• Configuration  Single

• MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A) 2 A

• @ TerminalTemperature TT (ºC)  125 ºC

• Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)  100 V

• Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)  50 A

• Forward Voltage Drop VF (V)  0.79 V

• @ IF (A)  2 A

• Maximum ReverseCurrent IR (µA)  7 µA

• @ VR (V)  100 V

• TotalCapacitance CT (pF) 75 pF