从3D NAND的技术与产能方面寻求突破，近期几大厂商都在加大力度。日前，英特尔大连厂传出消息，经过仅8个多月的努力，英特尔大连厂非易失性存储制造新项目于今年7月初实现提前投产。去年10月，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非易失性存储器制造工厂。

一、MP2615升降压芯片完整信息介绍

• 2A、QFN 3mmx3mm 封装单节或双节锂离子(Li+)电池充电器

• 4.75V 至 18V 输入工作电压

• 占空比高达 99%

• 可编程充电电流高达 2A

• 电池充满电压精度为 ±0.75%

• 电池充满电压有4.1V/节 和 4.2V/节可选

二、DMTH6016LFVWQ升降压芯片完整信息介绍

• 60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

• AEC Qualified  YES

• Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP Automotive

• BVDSS  60V

• RDS(ON) max  16mΩ @ VGS = 10V

• D max TC = +25°C 41A

• RDS(ON) max  27mΩ @ VGS = 4.5V

• D max TC = +25°C  31.6A