近四个月以来，变化最大的是东芝及英特尔。因为现阶段三星在NAND方面领先，估计平均领先两年左右，而目前它的3D NAND产出已经占它NAND的比重达40%。但是东芝正后来居上，因为它的64层提前量产，或者与三星同步，但是它的目标更为宏大，3D NAND在2017年目标要占它的NAND产出50%，2018年达以80%，而目前仅5.4%。

一、MP2610升降压芯片完整信息介绍

• 1.1MHz开关型锂离子电池充电器，效率高达90％

• 为1至2节锂离子电池组充电

• 宽工作输入电压范围：5V 至 24V

• 可调充电电流高达 2A

• VBATT精度为±0.75%

• 0.2Ω内部功率 MOSFET开关管

• 效率高达90%

• 1.1MHz 固定频率

二、BZX84C5V6Q升降压芯片完整信息介绍

• AEC Qualified  Yes

• Compliance (Only Automotive supports PPAP)  Automotive

• Configuration Single

• Power Rating (W) 300 mW

• Nom VZ (V) 5.6

• @ IZT (mA) 5 mA

• Tol V (Typ) (%) 7.14%

• IR (µA) 1 µA

• Packages SOT23