3D NAND技术复杂，由于成品率低，导致成本高。依三星的技术水平，估计它的48层3D NAND的成本已经接近2D NAND，未来64层时可能会占优势。而其他的各厂家现阶段仍然需要克服成本这一难题。这可以给中国存储厂商一些时间。 但是，不管如何，到2018年长江存储实现诺言量产3D NAND时，它的32层与三星可能已经达100层相比绝不占优势。技术只是一个方面，更为严峻的是制造成本方面的差距。

一、MP2497升降压芯片完整信息介绍

• 3A, 50V, 100kHz 降压变换器，具有可调输出过压保护阈值

• 宽工作输入电压范围：4.5V 至 50V

• 可调输出过压保护

• 可调输出电压：0.8V 至 15V

• SOIC8E封装

二、SMBJ36CA升降压芯片完整信息介绍

• 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

• AEC Qualified SMBJ36CAQ

• Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard

• Configuration Single (Bi-Directional)

• Power Rating (W) 600 W

• Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 36 V

• Breakdown VoltageVBR Min(V) 40 V

• BreakdownVoltageVBR Max (V) 46 V

• Maximum Reverse Leakage CurrentIR @ VRWM Max 5 µA

• Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 58.1 V

• Packages SMB