硅是目前最重要的半导体材料，全球95%以上的半导体芯片和器件是用硅片作为基底功能材料而生产出来的。在可预见的未来，还没有其它材料(如石墨 烯等)可以替代硅的地位。在1960 年时期就有了0.75 英寸(约20mm)左右的单晶硅片。在1965 年左右Gordon Moore 提出摩尔定律时，还是以分立器件为主的晶体管。

一、DMN6068LK3-13升降压芯片的性能特点

• V(BR)DSS   60V

• RDS(on) ID TA = +25°C    68mΩ @ VGS = 10V 8.5A

• RDS(on) ID TA = +25°C   100mΩ @ VGS = 4.5V 7.0A

二、MP4572升降压芯片的性能特点

• 2A、60V 高效率全集成同步降压变换器

• 4.5V 至 60V 宽工作输入电压（VIN）范围

• 内部 0.45ms 软启动（SS）

• 2A 连续输出电流（IOUT）

• 远程使能（EN）控制 电源正常（PG）指示

• 高效率同步控制模式

• 低压差模式

• 250mΩ/45mΩ 内部功率 MOSFET

• 过流保护（OCP）

• 可配置频率高达 2.2MHz

• S带打嗝保护模式的短路保护（SCP）

• 180°移相 SYNCO 时钟

• VIN 欠压锁定保护（UVLO

• 40μA 静态电流（IQ）

• 过温关断保护

• 低关断模式电流：2μA

• 采用 QFN-12（2.5mmx3mm）封装

• 反馈公差：室温下为 1%，全温下为 2%

• 轻载时 AAM 或 CCM 工作模式可选