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BZX84C10Q-7-F与MP6631升降压芯片的性能特点

时间:2022-06-27 预览:915

BZX84C10Q-7-F与MP6631升降压芯片的性能特点

随着半导体器件结构的变化和半导体制程复杂程度的提高,在半导体产业采用的化学元素越来越多。在1985年,化学元素周期表中只有11 种元素用于半导体行业。而到了2015 年,半导体行业使用的化学元素种类达到49 种。除了材料种类的增多,半导体材料也随着半导体制程的进步而不断发展。

一、BZX84C10Q-7-F升降压芯片的性能特点

• 350mW表面安装齐纳二极管

• VF 0.9 V

• PD 300 Mw

• IZT  20mA

• IZK   1.0mA

• iR(µA) 0.2

• @VR 7.0V

• VZ @ IZT  10V

二、MP6631升降压芯片的性能特点

• 4V Input, 3A Peak Phase Current, Three-Phase BLDC Motor Driver

• 3.6V to 24V Operating Input Voltage (VIN) Range

• Up to 3A of Peak Phase Current

• Integrated 160mΩ High-Side MOSFETs (HS-FETs) and Low-Side MOSFETs (LSFETs)

• Sinusoidal Drive

• Supports 0V to 1.2V DC Input or 1kHz to 100kHz Pulse-Width Modulation (PWM) Input

• Supports Triple-Hall or Single-Hall Element Differential Input

• Closed-/Open-Loop Speed Control

• Direction/Brake Input

• Power-Save Mode

• 5s/4.5s Lock Protection

• Over-Current Protection (OCP)

• Single-Pulse or Triple-Pulse FG Output per Electrical Cycle

• FG Signal: Rotational Speed Indication

• Soft Start (SS) for Low Noise and Current Overshoot

• Available in a QFN-26 (3mmx4mm) Package