中国电子专用设备工业协会统计显示，2014 年我国半导体设备行业35 家主要制造商共完成40.53 亿元销售收入，同比增长34.5%;实现利润8.48 亿元，同比增长13.8%;出口交货值4.41 亿元，同比增长50.5%;2015 年销售收入达到50 亿元左右，同比增长25%。预计今年全球销售有望突破800 亿美元。

一、BZT52C43Q-7-F升降压芯片的性能特点

• SURFACE MOUNT ZENER DIODE

• VZ @ IZT  43V

• IZT   5mA

• IZK   1.0mA

• iR(µA) 0.1

•  @VR  32V

二、MP6616升降压芯片的性能特点

• 集成嵌入式霍尔效应传感器的 18V、2A、单相直流无刷电机驱动器

• 2mT 最小灵敏度嵌入式霍尔效应传感器

• 3.3V 至 18V 工作输入电压(VIN) 范围

• 2A 连续输出电流(IOUT)

• 100mΩ 集成功率 MOSFET

• 最大可配置速度：40000rpm

• 可配置最小速度和启动占空比

• 闭环或开环速度控制

• 闭环模式下提供高速精度

• 最大可配置软换向角：45°

• 最大可配置霍尔偏移角：±45°

• 最大四级可配置电流限值：4A

• 脉宽调制（PWM）输入范围：1kHz 至 100kHz

• 可配置的软启动时间（tSS）

• 固定开关频率（fSW）：27kHz

• 待机模式

• 自动恢复转子堵转保护

• 自动恢复过温关断保护

• 内置输入过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）保护和自动恢复

• 采用 QFN-10（2mmx3mm）封装