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AH3767Q-P-B与MP2639升降压芯片的性能特点

时间:2022-06-27 预览:959

AH3767Q-P-B与MP2639升降压芯片的性能特点

IC 设计、晶圆制造、封装测试是IC 产业的核心环节,除此之外,IC 设计公司需要从IP/EDA 公司购买相应的IP 和EDA 工具,而IC 制造和封装测试公司需要从设备和材料供应商购买相应的半导体设备和材料化学品。因此,在核心环节之外,集成电路产业链中还需要IP/EDA、半导体设备、 材料化学品等上游供应商。

一、AH3767Q-P-B升降压芯片的性能特点

• Automotive-compliant 28V Open-drain Hall Effect Latch

• VDD   32V

• IOUT  60 mA

• PD 550 Mw

二、MP2639升降压芯片的性能特点

• 双节锂离子或锂聚合物开关充电器,兼容 5V 输入,集成双向充放电

• 输入电压范围:4.0V - 5.75V

• 使用 5V 电源为双节电池充电

• USB 兼容充电器

• 集成基于输入电流和输入电压的电源管理功能

• 可编程输入电流和输入电压限制

• 用于双节电池应用时,可编程充电电流高达 2.5A

• 8.4V 充电电压,精度为 0.5%

• 可编程放电电流高达 5.0A

• (NTC)引脚用于(电池)温度监控

• 放电模式下空载关断和按钮开机功能

• 可编程的定时后备保护

• 放电模式负载迹线补偿

• 热调节和热关断

• 内部电池反向泄漏阻止

• 充电和放电模式的集成短路保护(SCP)

• 四个LED电池电量和状态指示灯

• 采用QFN-26(4mmx4mm)封装