中国终于下决心要做存储器芯片，武汉新芯计划投资240亿美元，于2018年开始量产3D NAND闪存，引起全球的热议。客观地说能够下这样的决心是十分不易，国内国外抱怀疑者很多，基本上反映中国欲进军存储器业的现实。中国半导体业处于特定环境中，提出产业的自主可控是迫不得已。西方总是冷眼相对，控制及干扰我们的先进技术进步，所以中国在CPU方面的开发至少己有20年的历史。

如今中国的国力己大增，集成电路产业具一定规模，似乎资金方面、与之前大不同，己有所积累，所以此次下决心选择存储器芯片作为IDM模式的突破口，主要是产业发展需要，也是众望所归。

一、MP1475DJ-LF-Z升降压芯片功能说明

3A, 16V, 500kHz高效同步降压变换器，带 PG 和外部时钟同步功能。

二、MPQ4488升降压芯片功能说明

• 具有可配置频谱扩展功能和双路 USB 

• 充电端口的 36V、6A、降压变换器，符合 AEC-Q100 认证

• 支持符合 BC1.2 规范的 DCP 方案、Apple 3A Divider 模式和 1.2V/1.2V 模式

• 5.1V、5.17V 或 5.3V 可选输出电压（VOUT）

• 100mV 线路压降补偿

• 精确的 USB1/USB2 输出电流限制

• 50kHz 至 2.2MHz 可调开关频率（fSW）

• 支持 USB Type-C 5V @ 3A DFP 模式