目前存储器有三个方面的力量正在聚集，一个是政府主导的武汉新芯，它们与中科院微电子所等合作，据说己经有9层3D NAND样品。另一个是紫光，它的策略是先通过兼并，站在一定高度之后再自行研发。最后一个是两个地方政府，福建与合肥，它们试图寻找技术伙伴，或者挖技术团队后再前进。其中如福建投资在泉州的晋华集成电路，它由联电开发DRAM相关制程技术，产品将是32纳米制程的利基型DRAM，未来技术将授权给晋华，同时联电也可以保有研发成果。

一、MP1476GTF-Z升降压芯片功能说明

MP1476 是一款具有内部功率 MOSFET 的全集成高频同步整流降压开关变换器。MP1476 提供非常紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现 2A 的持续输出电流，具有极好的负载和线性调整率。MP1476 在输出负载范围内采用同步模式工作以达到高效率。

二、MP5032升降压芯片功能说明

• 带集成限流开关、支持快速充电规范3.0的控制器

• 3.6V 至 14V 宽工作输入电压范围

• 支持 QC 3.0（3.6V - 12V 输出）、符合 BC1.2 规范的 DCP 方案、Divider 模式、和 1.2V/1.2V 模式

• 用于 5V 输出的线路压降补偿

• 恒定的功率限制

• 32mΩ 低 RDS(ON) 功率 MOSFET

• 高压切换至低压时输入放电功能