依目前的态势由于做的产品不同，有3D NAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，采用的路径不同，以及合作对象也不一样，正如同“百花齐放”，因此都有一定的可能，但又都不太确定。

然而依照中国的囯力与条件又不可能支持得起那么多条存储器生产线，所以未来可能还要等2-3年时间的观察，结果才会更加明朗。

个人不成熟的看法由于武汉新芯是依靠自行研发为主，尽管这条道可能慢些，暂时技术方面落后，但是能有属于自己的东西，它的未来至少国家一定会支持到底，相对有成功的可能与希望。

一、MP1482DS-LF-Z升降压芯片功能说明

MP1482 是一款单片同步降压调节器。该器件集成了两个130mΩ MOSFETs，在4.75V至18V的宽输入电压范围内可提供2A的连续负载电流。其电流控制模式提供了快速瞬态响应和逐周期电流限制。

二、MP4423升降压芯片功能说明

• 带 PG 信号和外部时钟同步的3A、36V高效同步降压转换器

• 4V 至 30V 连续宽输入工作电压范围

• 适用于汽车抛负载的 36V 输入瞬态耐压

• 85mΩ/55mΩ 低 RDS(ON) 内部功率 MOSFETs

• 高效同步工作模式

• 默认 410kHz 开关频率

• 200kHz 至 2.2MHz 外部时钟同步

• 适用于汽车冷车启动的高占空比